Форум кафедры Техники и Электрофизики Высоких Напряжений
http://tvn-moscow.ru/forum/

Вопросы по курсовому проекту ЭЭС
http://tvn-moscow.ru/forum/viewtopic.php?f=40&t=442
Страница 2 из 3

Автор:  Tatiana [ 20 дек 2010, 22:42 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Даниил Анатольевич, можно вопрос!!
Для f=250Гц. Почему Um при индуктивной нагрузке больше Um при емкостной?

Автор:  Tatiana [ 20 дек 2010, 23:04 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

И еще пожалуйста последний вопрос!!
f=50Гц. Режим согласованой нагрузки. Напряжение почти не меняется, т.к. это режим передачи Pnat. При синфазном источнике получилось U выше, чем при симметричном. Вы говорили, что это из-за того, что в нулевом канале потери больше. Почему?
И метод волновых каналов - это только математический метод, не несущий физ.смысла? Или здесь есть аналогия с последовательностями (пр., обр., нул.)?
Потери в нулевом канале больше, потому что токи нулевой последовательности текут по земле?
Каша какая-то в голове(стыдно

Автор:  dmatveev [ 20 дек 2010, 23:07 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Tatiana писал(а):
Даниил Анатольевич, можно вопрос!!
Для f=250Гц. Почему Um при индуктивной нагрузке больше Um при емкостной?

Из графика при индуктивной нагрузке видно, что напряжение в начале линии возрастает при движении от источника к нагрузке - это признак того, что входное сопротивление этой линии имеет емкостный характер. Емкостное входное сопротивление, включенное последовательно с индуктивностью источника, обеспечивает малое суммарное сопротивление системы, т.е. мы имеем случай, близкий к резонансу. Для случая емкостной нагрузки входное сопротивление в начале линии имеет индуктивный характер, напряжение источника делится между его индуктивным сопротивлением и линией, поэтому в этом случае напряжения в линии малы.

Почему в режиме, близком к резонансу, возникают большие напряжения? Потому что в линию втекает большой ток, и он создает на входном сопротивлении линии большое падение напряжения (по закону Ома), а далее этот ток, протекая по распределенной индуктивности линии, приводит к дальнейшему повышению напряжения. Все это в ТВН называется емкостным эффектом, а в зарубежной литературе иногда - эффектом Ферранти.

Автор:  Tatiana [ 20 дек 2010, 23:29 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

dmatveev писал(а):
Tatiana писал(а):
Даниил Анатольевич, можно вопрос!!
Для f=250Гц. Почему Um при индуктивной нагрузке больше Um при емкостной?

Из графика при индуктивной нагрузке видно, что напряжение в начале линии возрастает при движении от источника к нагрузке - это признак того, что входное сопротивление этой линии имеет емкостный характер. Емкостное входное сопротивление, включенное последовательно с индуктивностью источника, обеспечивает малое суммарное сопротивление системы, т.е. мы имеем случай, близкий к резонансу. Для случая емкостной нагрузки входное сопротивление в начале линии имеет индуктивный характер, напряжение источника делится между его индуктивным сопротивлением и линией, поэтому в этом случае напряжения в линии малы.

Почему в режиме, близком к резонансу, возникают большие напряжения? Потому что в линию втекает большой ток, и он создает на входном сопротивлении линии большое падение напряжения (по закону Ома), а далее этот ток, протекая по распределенной индуктивности линии, приводит к дальнейшему повышению напряжения. Все это в ТВН называется емкостным эффектом, а в зарубежной литературе иногда - эффектом Ферранти.

Ааааааааааа!!!!!!Поняла вроде!!У нас же 250Гц, и характер меняется не 1500 а каждые 300км...Начинаем с конца линии..Если в конце и стоит индуктивность, то совсем необязательно, что в начале будет индуктивный характер (зависит от длины и от характера Zвх). И получается емкостной ток течет по индуктивности источника, что и приводит к росту напряжения..да?

Автор:  dmatveev [ 20 дек 2010, 23:32 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Tatiana писал(а):
И еще пожалуйста последний вопрос!!

Боюсь, что это не последний вопрос, тем более, что Вы их задаете сразу несколько, на несколько лекций :)

Tatiana писал(а):
f=50Гц. Режим согласованой нагрузки. Напряжение почти не меняется, т.к. это режим передачи Pnat. При синфазном источнике получилось U выше, чем при симметричном. Вы говорили, что это из-за того, что в нулевом канале потери больше. Почему?

Не говорил я такого :) Я говорил, что в нулевом канале напряжение сильнее падает вдоль линии, потому что в нулевом канале больше потери. А само по себе напряжение в начале линии определяется падением напряжения на индуктивности источника. У нулевого канала волновое сопротивление примерно в два раза больше, чем у первого, поэтому ток, втекающий в линию, будет примерно в два раза меньше и просадка напряжения на источнике будет меньше.

Tatiana писал(а):
И метод волновых каналов - это только математический метод, не несущий физ.смысла? Или здесь есть аналогия с последовательностями (пр., обр., нул.)?
Потери в нулевом канале больше, потому что токи нулевой последовательности текут по земле?
Каша какая-то в голове(стыдно

Не стыдитесь, на этом сломали голову целые поколения :)

Метод волновых каналов - это не только математический метод, волновые каналы - явление физическое. Связано оно с тем, что в многопроводной линии возможно существование только определенных форм электромагнитных волн, которые формируются соответствующими фазными токами (или напряжениями), находящимися в определенной пропорции. Если приложить к линии систему напряжений, находящихся в пропорции, соответствующей одному каналу, то вдоль линии отправится одна волна с соответствующим параметрами (волновым сопротивлением и коэффициентом распространения). Если приложить к линии систему напряжений, находящихся в пропорции, соответствующей другому каналу, то по линии двинется волна с параметрами уже этого другого канала. А если приложить к линии систему напряжений, находящихся в произвольной пропорции, то оно (в точности как в линейной алгебре раскладывают вектор по базису) разложится по всем системам напряжений и в линии возникнет несколько форм волн (задействуется несколько волновых каналов); в общем случае ровно столько, сколько в линии проводов (но это не значит, что провод - канал).

Потери в нулевом канале больше, потому что нулевой канал образуется (в случае идеально симметричной линии) синфазным приложением напряжения к линии, то есть напряжения во всех фазах одинаковые (и токи в них тоже одинаковые, в идеальном случае). При таком приложении напряжения электромагнитные поля отдельных фаз на удалении от линии складываются друг с другом и получается, что электромагнитное поле занимает большой объем, проникая в землю и, тем самым, обуславливая потери. Поля первого и второго каналов (в точности как в методе симметричных составляющих) образуются системами напряжений, для которых сумма напряжений всех фаз равна нулю. При этом электромагнитное поле локализовано вокруг проводов, проникновение в землю незначительно, электромагнитная энергия движется в воздухе вокруг линии. Потери при этом, конечно, меньше. По этой, кстати, причине мы и используем трехфазные сети.

Аналогия с методом симметричных составляющих тут, конечно, есть. Метод симметричных составляющих - это частный случай метода волновых каналов, работающий для идеально симметричных линий. Если же линия несимметрична, то методу симметричных составляющих приходит конец, он просто неприменим. Дело в том, что матрица преобразования, использованная в методе симметричных составляющих, состоит из собственных векторов такой матрицы, у которой все диагональные элементы равны между собой и все внедиагональные элементы равны между собой. Это как раз случай идеальной транспозиции проводов, поэтому для транспонированных линий электропередачи применять метод симметричных составляющих можно. Если же нужно, к примеру, рассчитать пробег электромагнитной волны вдоль нетранспонированного участка ВЛ, то метод симметричных составляющих применять нельзя.

Автор:  dmatveev [ 20 дек 2010, 23:33 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Tatiana писал(а):
dmatveev писал(а):
Tatiana писал(а):
Даниил Анатольевич, можно вопрос!!
Для f=250Гц. Почему Um при индуктивной нагрузке больше Um при емкостной?

Из графика при индуктивной нагрузке видно, что напряжение в начале линии возрастает при движении от источника к нагрузке - это признак того, что входное сопротивление этой линии имеет емкостный характер. Емкостное входное сопротивление, включенное последовательно с индуктивностью источника, обеспечивает малое суммарное сопротивление системы, т.е. мы имеем случай, близкий к резонансу. Для случая емкостной нагрузки входное сопротивление в начале линии имеет индуктивный характер, напряжение источника делится между его индуктивным сопротивлением и линией, поэтому в этом случае напряжения в линии малы.

Почему в режиме, близком к резонансу, возникают большие напряжения? Потому что в линию втекает большой ток, и он создает на входном сопротивлении линии большое падение напряжения (по закону Ома), а далее этот ток, протекая по распределенной индуктивности линии, приводит к дальнейшему повышению напряжения. Все это в ТВН называется емкостным эффектом, а в зарубежной литературе иногда - эффектом Ферранти.

Ааааааааааа!!!!!!Поняла вроде!!У нас же 250Гц, и характер меняется не 1500 а каждые 300км...Начинаем с конца линии..Если в конце и стоит индуктивность, то совсем необязательно, что в начале будет индуктивный характер (зависит от длины и от характера Zвх). И получается емкостной ток течет по индуктивности источника, что и приводит к росту напряжения..да?

Да!

Автор:  Tatiana [ 20 дек 2010, 23:48 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Спасибо огромное!!!!!!! Перечитывала несколько раз, чтобы понять!) Но теперь намного яснее!!! :clap:

Автор:  dmatveev [ 20 дек 2010, 23:52 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Я рад.

Завтра на занятии я хочу этот вопрос обсудить со всей группой. Надеюсь - тогда и прояснится окончательно.

Автор:  mandari [ 23 дек 2010, 22:37 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Даниил Анатольевич!
Подскажите,пожалуйста,когда завтра можно прийти защищать курсовой проект?


Белова Ольга.Э-10-07

Автор:  dmatveev [ 23 дек 2010, 22:39 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

mandari писал(а):
Даниил Анатольевич!
Подскажите,пожалуйста,когда завтра можно придти защищать курсовой проект?


Белова Ольга.Э-10-07

Точного времени назначить не могу. Подойдите ко мне в 12-00 и договоримся на ближайшее время, возможно, прямо в 12-00 защиту и проведем.

Автор:  mandari [ 23 дек 2010, 22:40 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Хорошо,спасибо!

Автор:  Sokolova [ 23 дек 2010, 22:42 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Добрый вечер. Подскажите, какую литературу следует прочитать к защите курсового проекта.

Автор:  dmatveev [ 23 дек 2010, 22:48 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

По теории установившихся режимов в однопроводной линии читайте любой учебник ТОЭ.
По выбору реакторов читайте учебник ТВН или описание 20-й лабораторной работы (в сборнике "Лабораторные работы по ТВН").
По методу волновых каналов читайте лекции.

Автор:  Sokolova [ 23 дек 2010, 22:53 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Спасибо большое)))Буду готовиться)

Автор:  dmatveev [ 23 дек 2010, 23:04 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Правильно :-)

Автор:  AlekseevaNV [ 23 дек 2010, 23:30 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Добрый вечер, Даниил Анатольевич!
Не могли бы вы ответить мне на один вопрос. Разбирая ход графиков зависимости волнового сопротивления от частоты, я не смогла понять ход кривой для первого (второго) канала. Ведь Zc=sqrt(L/C), а так как емкость не зависит от частоты, потому что пренебрегаем поперечными токами, то графики волнового спротивления должны иметь схожий характер с графиками индуктивности. Для нулевого канала он схож, а для первого и второго нет( Не могли бы объяснить почему. Или это объяснятся тем, что поверхностный эффект начинает проявляться в проводе только при 100 Гц?

Автор:  AlekseevaNV [ 23 дек 2010, 23:33 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

И еще один вопрос, если можно, но уже на счет коэффициента затухания. Он объясняется тем, что скорость распространения увеличивается с ростом частоты и из-за поверхностного эффекта волна затухает сильнее? Я правильно понимаю или нет?
Заранее спасибо за ответы.

Автор:  dmatveev [ 24 дек 2010, 00:15 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Да, за счет поверхностного эффекта уменьшается глубина проникновения электромагнитного поля в провод и в землю => уменьшаются эффективные сечения земли и провода, по которым протекает ток, => увеличивается активное сопротивление. Рост активного сопротивления приводит к увеличению затухания.

Автор:  AlekseevaNV [ 26 дек 2010, 20:53 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

Даниил Анатольевич, скажите пожалуйста, а во сколько к вам можно будет подойти во вторник?

Автор:  dmatveev [ 26 дек 2010, 22:15 ]
Заголовок сообщения:  Re: Вопросы по курсовому проекту ЭЭС

AlekseevaNV писал(а):
Даниил Анатольевич, скажите пожалуйста, а во сколько к вам можно будет подойти во вторник?

С 10:00 до 13:00

Страница 2 из 3 Часовой пояс: UTC + 3 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
https://www.phpbb.com/